東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学

地域オープンイノベーション拠点

公募情報／公開情報

受賞・報道など

2017年度

報道

103 semiconportal
「組み込みMRAMを今年末にファウンドリ2社が生産開始」
2018/3/23
102 GLOBALFOUNDRIES
"Tohoku University Center for Innovative Integrated Electronic Systems/ 4th CIES Technology Forum",
2018/3/21
101 EurekAlert!
"Meeting Announcements 4th CIES Technology Forum",
2018/3/13
100 EurekAlert!
"Public Release 4th CIES Technology Forum",
2018/3/13
99 客観日本
「日本在超大容量、低耗电、高性能非易失性存储器制造上迈进一步——数纳米级磁隧道结元件的运行实验获得成果」
2018/2/27
98 グローバルネット
「東北大、最小直径3.8nmの高性能磁気トンネル接合素子を開発」
2018/2/26
97 ナノテックジャパン
「磁気トンネル接合素子，未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現　～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～」
2018/2/23
96 ナノテクノロジープラットフォーム
「磁気トンネル接合素子，未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現　～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～」
2018/2/23
95 DIGITIMES
「STT-MRAM新技術　線寬3分之1、記憶容量100倍」
2018/2/22
94 felixfacts,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated — ScienceDaily"
2018/2/22
93 Jpralves.net,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/22
92 15minutenews,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/21
91 Product Design & Development,
"Unprecedented Single-Digit-Nanometer Magnetic Tunnel Junction Demonstrated",
2018/2/21
90 Phys.org,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/21
89 ORAZIO IT
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/21
88 Viral Stories
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/21
87 PALLAREL STATE
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/21
86 Phisics News
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/21
85 Technology News
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/20
84 News Locker
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/20
83 Long Room,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/20
82 Asia Research news,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/20
81 ScienceDaily,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/20
80 ジサクテック
「新素子のMRAM開発　記憶容量がDRAMの10倍以上へ」
2018/2/19
79 ENGG talks,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/19
78 Photonics Online,
"Unprecedented Single-Digit-Nanometer Magnetic Tunnel Junction Demonstrated",
2018/2/19
77 EurekAlert!,
"Unprecedented single-digit-nanometer magnetic tunnel junction demonstrated",
2018/2/19
76 bp-Affairs
「超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋」
2018/2/19
75 EE Times Japan
「磁気トンネル接合素子、直径3.8nmで動作確認」
2018/2/19
74 日本経済新聞
「磁石の性質使う新メモリー　容量DRAMの10倍」
2018/2/19
73 IT Media
「磁気トンネル接合素子、直径3.8nmで動作確認」
2018/2/19
72 まとめぞん
「【ＭＲＡＭ】記憶容量、ＤＲＡＭの１０倍以上へ　東北大が新素子」
2018/2/17
71 日本経済新聞　電子版
「記憶容量、DRAMの10倍以上へ　東北大が新素子」
2018/2/17
70 ２NN
「【ＭＲＡＭ】記憶容量、ＤＲＡＭの１０倍以上へ　東北大が新素子」
2018/2/17
69 OPTRONICS ONLINE
「東北大，最小直径3.8nmまでの磁気トンネル接合素子を開発」
2018/2/16
68 fabcross for エンジニア
「未踏の一桁ナノメートルサイズでも熱安定性と電流誘起磁化反転を両立――東北大、磁気トンネル接合素子の新方式を提案」
2018/2/16
67 日本の研究.com
「磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～」
2018/2/15
66 ECO Mart
「磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～」
2018/2/15
65 スマートジャパン
「磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～」
2018/2/14
64 テック・アイ技術情報研究所
「磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現」
2018/2/14
63 日本経済新聞 電子版
「東北大、磁気トンネル接合素子の新方式提案し世界最小となる一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功」
2018/2/14
62 科学技術振興機構（ＪＳＴ）
「磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～」2018/2/14
61 内閣府
「磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現」
2018/2/14
60 はてなブックマーク
「磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～」
2018/2/14
59 IEEE MAGNETICS,
"2018 MAGNETICS SOCIETY IEEE FELLOW INDUCTEES",
2018/1/1
58 一般財団法人青葉工学振興会
「青葉工学振興会賞及び青葉工学研究奨励賞の授賞者一覧」
2017/12/1
57 Mihanmag,
"Tohoku University and Keysight Technologies Inc. release test solution product for MTJ",
2017/11/8
56 MRAM-info,
"Keysight Technologies announces a new MRAM test platform designed in collaboration with Tohoku University",
2017/11/8
55 EurecAlert! Science News,
「次世代メモリSTT-MRAMのMTJ特性評価ソリューションを製品化」
2017/11/8
54 EurecAlert! Science News,
"Tohoku University collaborates with Keysight Technologies Inc. on STT-MRAM test solution",
2017/11/8
53 Public.,
"Tohoku University and Keysight Technologies Inc. release test solution product for MTJ",
2017/11/8
52 asia RESEARCH NEWS,
"Tohoku University and Keysight Technologies Inc. release test solution product for MTJ",
2017/11/8
51 電子デバイス産業新聞
インタビュー記事「MRAMと拠点構築で内閣総理大臣賞」
4面（産学官のフューチャープラン）、2017/11/2
50 Nature Inside View,
"JOINING FORCES TO CREATE A NEW ERA OF ELECTRONICS",
オンライン記事、2017/11/2
49 Evaluation Engineering、
”Inspection, physical failure analysis complement electrical test SPECIAL REPORT - SEMICONDUCTOR TEST”,
2017/10/27
48 Université de Rennes 1,
"Tohoku University to have a new president",
2017/10/20
47 毎日新聞　電子版
「東北大：次期学長に電気通信研究所長の大野氏「産学連携を」」
2017/10/20
46 毎日新聞
「東北大：次期学長に電気通信研究所長の大野氏「産学連携を」」
2017/10/20、地方版／宮城
45 北海道新聞
「東北大学長に大野氏・札南高出身・「産学連携の循環を」」
2017/10/20
44 北海道新聞 電子版
「東北大学長に大野氏・札南高出身・「産学連携の循環を」」
2017/10/20
43 仙台放送
「東北大学新学長に大野英男教授就任」
2017/10/20
42 仙台放送NEWS
「東北大学新学長に大野英男教授就任」
2017/10/19
41 WN.COM,
"Hideo Ohno selected as Tohoku University president",
2017/10/19
40 東京読売新聞
「東北大学長に大野氏　電気通信研究所長＝宮城」
2017/10/19
39 日本経済新聞
「東北大次期学長候補に大野氏、電気通信研究所長」
2017/10/19、地方経済面 東北
38 日本経済新聞
「東北大次期学長候補大野英男氏　「挑戦する大学」合言葉」
2017/10/19、地方経済面 東北
37 日本経済新聞　電子版
「東北大次期学長候補に大野氏、電気通信研究所長」
2017/10/19
36 日本経済新聞　電子版
「東北大次期学長候補大野英男氏　「挑戦する大学」合言葉」
2017/10/19
35 河北新報
「東北大次期総長／世界トップ３０に挑戦／産学連携推進へ抱負」
2017/10/19、3面
34 河北新報
「時の人 東北大次期総長に決まった　大野英男（おおの・ひでお）さん／開拓精神伸ばしていく」
2017/10/19
33 河北新報
「東北大総長　大野氏/来春就任/」
2017/10/19、1面
32 河北新報　Online News
「東北大次期総長／世界トップ３０に挑戦」
2017/10/19
31 河北新報 Online News
「東北大総長　大野氏/来春就任/」
2017/10/19
30 4-traders,
"Tohoku University : Hideo Ohno selected as Tohoku University president",
2017/10/19
29 日刊工業新聞　電子版
「東北大、総長に大野英男氏」
2017/10/19
28 朝日新聞
「東北大総長　大野氏就任」
2017/10/19
27 朝日新聞デジタル
「東北大の次期総長に大野英男教授　来年４月から６年任期」
2017/10/18
26 NHK
「東北大学新学長に大野氏内定」
2017/10/18
25 All about TEST,
”High-Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution",
2017/10/11
24 Newton
トップランナー「電子のスピンでコンピューター革命」電子がもつ磁石の性質を利用する「スピントロニクス」
2017年11月号、2017/9/27発売
23 All about TEST,
"Charakterisierung von neuen Speichertechnologien",
2017/9/27
22 Connect-World,
"Keysight Technologies Announces High-Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution-Accelerates Development, Commercialization of New Memory, Including STT-MRAM",
2017/9/25
21 日刊工業新聞
「日本人4年連続なるか　ノーベル賞発表迫る」
33面、2017/9/22
20 Electronics Media,
"Keysight Technologies Announces High-Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution-Accelerates Development, Commercialization of New Memory, Including STT-MRAM",
2017/9/22
19 PressBox,
"Durchsatzstarke Speichertestlösung von Keysight ermöglicht I/U-Kennlinienmessungen mit Pulsen ab 1 ns - beschleunigt die Entwicklung und Markteinführung neuartiger Speichertechnologien, darunter STT-MRAM",
2017/9/22
18 THOMASNET.COM,
"NX5730A 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution offers system-level adjustment.",
2017/9/19
17 PressBox,
"Keysight Technologies Announces High-Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution-Accelerates Development, Commercialization of New Memory, Including STT-MRAM",
2017/9/19
16 ee News Embedded,
"Dedicated testing configuration for emerging memory technologies",
2017/9/19
15 Signal Integrity Journal,
"Keysight Technologies Announces High-Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution-Accelerates Development, Commercialization of New Memory, Including STT-MRAM",
2017/9/18
14 Keysight Technologies,
"Test solution accelerates new memory development",
2017/9/18
13 Keysight Technologies,
"Keysight Technologies Announces High-Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution-Accelerates Development, Commercialization of New Memory, Including STT-MRAM",
2017/9/18
12 日経エレクトロニクス　９月号
「新時代を切り開くAIチップの本命は？」
2017/9/1
11 日経テクノロジーオンライン
「新時代を切り開くAIチップの本命は？」
2017/9/１
10 読売新聞夕刊
「科学リサーチフロント「集積回路　省エネの切り札」」
5面、2017/8/24
9 読売新聞夕刊
「科学リサーチフロント「電子の磁力で省エネ」」
5面、2017/8/3

8

 河北新報
「東北大を訪問　産学拠点視察　文科相」
3面、2017/7/27
7 Top Researchers
「不揮発性メモリで、電力のイノベーションを起こす」
2017/7/11
6 応用物理7号
「スピン軌道トルクによる高速磁化反転とその応用」
2017/7/10
5 日経エレクトロニクス　6月号
「AI/IoT時代を支える基軸新デバイスを創出　CIESは社会実装を見据えた新局面に突入」
2017/6/1
4 日経テクノロジーオンライン
「AI/IoT時代を支える基軸新デバイスを創出　CIESは社会実装を見据えた新局面に突入」
2017/6/1
3 公益社団法人　発明協会
「平成２９年度全国発明表彰　受賞者の発表について」
2017/5/25
2 科学技術振興機構(JST）
「遠藤哲郎教授が平成29年度全国発明表彰「21世紀発明奨励賞」を受賞」
2017/5/25
1 日刊工業新聞
「東北大、成果に応じ評価　産学共同研究の博士学生　企業資金で支援」
27面、2017/4/13