東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学

地域オープンイノベーション拠点

公募情報／公開情報

受賞・報道など

2016年度

報道

102 日経テクノロジーオンライン
「まずは混載フラッシュ代替、GLOBALFOUNDRIESのMRAM戦略 」
2017/3/22
101 日経テクノロジーオンライン
「QualcommのMRAM、データセンターやモバイル、IoTなどへ　「3rd CIES Technology Forum」 の招待講演で明らかに」
2017/3/21
100 Science　Portal
平成28年度(第14回)内閣府産学官連携功労者表彰 内閣総理大臣賞受賞
「産学官連携チームで集積エレクトロニクスの未来を築く」
第3回「劣勢に立たされていた“日の丸半導体”は復活するか?」, 2017/01/23
99 Science　Portal
平成28年度(第14回)内閣府産学官連携功労者表彰内閣総理大臣賞受賞
「産学官連携チームで集積エレクトロニクスの未来を築く」
第2回「日本に適したオープン・イノベーションの在り方とは?」, 2017/01/13
98 OHM
「産学官連携によるオープンイノベーション拠点の確立と成果―第14回産学官連携功労者表彰「内閣総理大臣賞」を受賞して―」
2017年1月号P.44-46, 2017/01/05
97 Science　Portal
平成28年度(第14回)内閣府産学官連携功労者表彰 内閣総理大臣賞受賞「産学官連携チームで集積エレクトロニクスの未来を築く」
第1回　「省エネ、大容量化を可能にする半導体デバイスの開発」
2016/12/22
96 日刊工業新聞
「産学共創のステージへ（１）幕上がる『ＯＰＥＲＡ』」
2016/11/29
95 日刊工業新聞
「世界に通用する産業創る」
2016/11/29
94 東北放送Nスタみやぎ
「ナノテクノロジーの世界的権威　ノーベル賞候補の東北大教授とは」
2016/11/29
93 読売新聞
「『顔』磁性半導体で江崎玲於奈賞　大野英男さん」
2016/11/24
92 読売新聞
「大野教授 『責任強く感じる』 江崎玲於奈賞　つくば賞で授賞式」
2016/11/23
91 茨城新聞
「『 感激と責任感じる』江崎賞　大野氏を表彰」
2016/11/23
90 日経エレクトロニクス
「世界のトップ企業が集まる最先端R＆D拠点を日本に　遠藤 哲郎氏（東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長）」
2016/11/20
89 日経テクノロジーonline
「世界のトップ企業が集まる最先端R＆D拠点を日本に　遠藤 哲郎氏（東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長）」
2016/11/18
88 Asian Scientist Magazine
"Semiconductor Collaboration Recognized For Successful Public Private Partnership Read more from Asian Scientist " 2016/11/01
87 セラミックス
「IoT高性能化の切り札 超高速不揮発メモリ」
2016/11/01
86 日経産業新聞
「日本支えた半導体の衰退　政府支援の研究拠点を」
2016/10/31
85 scienmag
"R&D collaboration in integrated electronic systems receives top award"
2016/10/19
84 Peer Appraisals
"R&D collaboration in integrated electronic systems receives top award"
2016/10/19
83 HiTechDays.com
"R&D collaboration in integrated electronic systems receives top award"
2016/10/19
82 I Want Hololens!
"R&D collaboration in integrated electronic systems receives top award"
2016/10/19
81 regator
"R&D collaboration in integrated electronic systems receives top award"
2016/10/19
80 Primeur Weekly
"R&D collaboration in integrated electronic systems receives top award"
2016/10/18
79 EurekAlert!
"R&D collaboration in integrated electronic systems receives top award"
2016/10/18
78 日刊工業新聞
「C&C賞　大野東北大教授ら選出　NEC」
2016/10/14
77 日刊工業新聞
「先輩の技術融合」
2016/09/27
76 日刊工業新聞 電子版
「スピントロニクスLSI、見えてきた実用化」
2016/09/26
75 日刊工業新聞
「ノーベル賞いよいよ来週」
2016/09/26
74 日本経済新聞
「ニュースの予習　ノーベル賞」
2016/09/23
73 日刊工業新聞
「待機電力ゼロ、実用化目前」
2016/09/23
72 キャリアパーク！
「産学官連携の代表的な功労者の表彰【分野別】」
2016/09/21
71 科学新聞
「茨城県科学技術振興財団が江崎賞、つくば賞など贈呈」
2016/09/16
70 日経エレクトロニクス
「東北大、東エレ、キーサイトが、産学官連携の総理大臣賞を受賞」
2016/09/16
69 科学技術振興機構
「遠藤哲郎教授が第14回（平成28年度）産学官連携功労者表彰『内閣総理大臣賞』を受賞」
2016/09/08
68 茨城新聞
「江崎賞に大野東北大教授」
2016/09/06
67 四国新聞
「江崎賞に大野英男さん」
2016/09/06
66 秋田魁新報
「江崎玲於奈賞に東北大の大野氏」
2016/09/06
65 朝日新聞
「江崎玲於奈賞に大野教授」
2016/09/06
64 東京新聞　茨城版
「江崎賞に大野氏」
2016/09/06
63 東京読売新聞
「大野英男教授に江崎玲於奈賞」
2016/09/06
62 日刊工業新聞
「大野東北大教授が江崎玲於奈賞受賞」
2016/09/06
61 日経産業新聞
「江崎玲於奈賞に大野東北大教授」
2016/09/06
60 毎日新聞
「江崎玲於奈賞：東北大の大野氏に」
2016/09/06
59 Sankei Biz
「江崎玲於奈賞に東北大の大野教授」
2016/09/06
58 FujiSankei Business I
「江崎玲於奈賞に東北大の大野教授」
2016/09/06
57 OPTRONICS ONLINE
「東北大ら，内閣総理大臣賞を受賞」
2016/09/02
56 日経BP 知財Awareness
「内閣府、産学官連携功労者表彰者の文部科学大臣賞に東北大学教授3人を選出」
2016/09/01
55 河北新報
「東北大・遠藤教授ら総理大臣賞　電子機器省電力化に貢献」
2016/08/27
54 河北新報ONLINE NEWS
「電子機器大幅省電力化　東北大教授らに最高賞」
2016/08/27
53 47news
「電子機器大幅省電力化　東北大教授らに最高賞」
2016/08/27
52 コネクト ニュースをつなぐ
「電子機器大幅省電力化　東北大教授らに最高賞」
2016/08/27
51 日経テクノロジーonline
「産学連携の総理大臣賞が東北大、東京エレクらに輝いた理由」
2016/08/26
50 イプロス製造業
「産学連携の総理大臣賞が東北大、東京エレクらに輝いた理由 」
2016/08/26
49 株ライン
「産学連携の「総理大臣賞」を東北大、東京エレクトロン、キーサイトが受賞した理由 」
2016/08/26
48 大学ジャーナルONLINE
「産学官功労者表彰、総理大臣賞に東北大学の遠藤教授ら」
2016/08/23
47 J-net21
「第14回産学官連携功労者表彰における受賞者が決定しました」
2016/08/23
46 NEWS PICKS
「総理大臣賞に東北大学など−内閣府が産学官連携功労者１４件表彰」
2016/08/23
45 日刊工業新聞
「総理大臣賞に東北大学など−内閣府が産学官連携功労者１４件表彰」
2016/08/22
44 日刊工業新聞電子版
「総理大臣賞に東北大学など−内閣府が産学官連携功労者１４件表彰」
2016/08/22
43 wn.com
"Tokyo Electron Receives Prime Minister's Award in Citation of Merit for Industry-Academia-Government Collaboration (TEL FSI Inc.)"
2016/08/22
42 4-Traders
"Tokyo Electron : Receives Prime Minister's Award in Citation of Merit for Industry-Academia-Government Collaboration"
2016/08/22
41 東北経済産業局
「第14回産学官連携功労者表彰における受賞者が決定しました」
2016/08/19
40 新エネルギー・産業技術総合開発機構
「NEDOプロジェクトの成果が内閣総理大臣賞などを受賞」
2016/08/19
39 日経産業新聞
「超省エネの磁気メモリー開発-日の丸半導体　復活挑む-」
2016/6/23
38 日本経済新聞
「半導体ＦＰＧＡ、高速処理・省電力で　東北大・ＮＥＣが開発」
2016/6/20
37 日経産業新聞
「消費電力1/100メモリー開発-磁気素子、処理速く-」
2016/6/15
36 Yahoo! Japan
「2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30％縮小」
2016/5/19
35 EE Times Japan
「2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30％縮小」
2016/5/19
34 NEWS EXPRESS
「2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30％縮小」
2016/5/19
33 日経テクノロジーonline
「STT-MRAMでセル面積を30％縮小する新技術を実証」
2016/5/18
32 Nikkei BP net
「STT-MRAMでセル面積を30％縮小する新技術を実証」
2016/5/18
31 Sci24.com
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/18
30 イプロス製造業
「STT-MRAMでセル面積を30％縮小する新技術を実証」
2016/5/18
29 日経プレスリリース
「東北大、２メガビット磁気ランダムアクセスメモリー（STT－MRAM）の実証実験に成功」
2016/5/17
28 Science Daily
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
27 (e)Science News
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
26 worldwidenews365
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
25 globalnewsmagzine
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
24 regator
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
23 newsreality
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
22 Heart Glows
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
21 NEWS UNITED
"NEW TECHNOLOGY REDUCES 30% CHIP AREA OF STT-MRAM WHILE INCREASING MEMORY BIT YIELD BY 70%"
2016/5/17
20 I Want Hololens!
"New technology reduces 30% chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70%"
2016/5/17
19 Science Newsline　Technology
"New Technology Reduces 30% Chip Area of STT-MRAM While Increasing Memory Bit Yield by 70%"
2016/5/17
18 HOT NEWS TECHNOLOGY
"Reducing 30% Chip Area of STT-MRAM while Increasing Memory Bit Yield by 70%"
2016/5/17
17 iconnect007
"Reducing 30% Chip Area of STT-MRAM while Increasing Memory Bit Yield by 70%"
2016/5/17
16 newsblock
"New technology reduces 30 percent chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70 percent"
2016/5/17
15 bizdailies
"New technology reduces 30 percent chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70 percent"
2016/5/17
14 makemefeed
"New technology reduces 30 percent chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70 percent"
2016/5/17
13 ooyuz
"New technology reduces 30 percent chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70 percent"
2016/5/17
12 All Of The Internet
"New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent"
2016/5/17
11 abomus
"New technology reduces 30 percent chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70 percent"
2016/5/17
10 PHYS ORG
"New technology reduces 30 percent chip area of STT-MRAM while increasing memory bit yield by 70 percent"
2016/5/17
9 Electronic　Component News
"Technology Reduces 30 Percent Chip Area of STT-MRAM While Increasing Memory Bit Yield By 70 Percent"
2016/5/17
8 newelectronics
"MTJ stacking process shrinks STT-MRAM die size"
2016/5/17
7 BEFORE IT'S NEWS
"Researchers develop a way to increase STT-MRAM density by placing MTJs directly on the via"
2016/5/17
6 MRAM-info
"Researchers develop a way to increase STT-MRAM density by placing MTJs directly on the via"
2016/5/17
5 EurekAlert!
"NEW TECHNOLOGY REDUCES 30% CHIP AREA OF STT-MRAM WHILE INCREASING MEMORY BIT YIELD BY 70%"
2016/5/16
4 日経産業新聞
省エネ半導体実用化へ　消費電力100分の１に
2016/4/25
3 日経産業新聞
次世代メモリー 18年にも 国内AI研究連携も
2016/4/25
2 日刊工業新聞
低電流で10倍高速動作
2016/4/13
1 semiconportal
2期目を迎えた東北大CIESセンター
2016/4/6